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晶圓形貌量測設備

簡要描述:WD4000晶圓形貌量測設備采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術,完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,實現晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反應表面形貌的參數。

  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2024-08-11
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詳細介紹

品牌中圖儀器產地國產
加工定制

WD4000晶圓形貌量測設備采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術,完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,實現晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反應表面形貌的參數。通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產生劃痕缺陷。

晶圓形貌量測設備

WD4000晶圓形貌量測設備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。

1、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數,同時生成Mapping圖;

2、采用白光干涉測量技術對Wafer表面進行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌、粗糙度及相關3D參數;

3、基于白光干涉圖的光譜分析儀,通過數值七點相移算法計算,達到亞納米分辨率測量表面的局部高度,實現膜厚測量功能;

4、紅外傳感器發出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計算出兩表面間的距離(即厚度),可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度,包括碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅等。

晶圓形貌量測設備

WD4000可廣泛應用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業。可測各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面,從納米到微米級別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等,提供依據SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國內外標準共計300余種2D、3D參數作為評價標準。


測量功能

1、厚度測量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;

2、顯微形貌測量模塊:粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。

3、提供調整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數據處理功能。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能;提取包括提取區域和提取剖面等功能。

4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數;結構分析包括孔洞體積和波谷。


應用場景

1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量

晶圓形貌量測設備

通過非接觸測量,將晶圓上下面的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護膜或圖案的晶片的完整性。


2、無圖晶圓粗糙度測量

晶圓形貌量測設備

Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數值大小及多次測量數值的穩定性來反饋加工質量。在生產車間強噪聲環境中測量的減薄硅片,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數據計算重復性為0.046987nm,測量穩定性良好。


部分技術規格

型號WD4200
厚度和翹曲度測量系統
可測材料砷化鎵 、氮化鎵 、磷化 鎵、鍺、磷化銦、鈮 酸 鋰 、藍寶石 、硅 、碳化 硅 、玻璃等
測量范圍
150μm~2000μm
測量參數厚度、TTV(總體厚度變 化)  、LTV 、BOW、WARP  、平面度、線粗糙度
三維顯微形貌測量系統
測量原理白光干涉
測量視場0.96mm×0.96mm
可測樣品反射率
0.05%~ 100%
測量參數顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大 類300余種參數
系統規格
晶圓尺寸4"  、6"  、8"  、 12"
晶圓載臺防靜電鏤空真空吸盤載臺
X/Y/Z工作臺行程
400mm/400mm/75mm
工作臺負載≤5kg
外形尺寸1500× 1500×2000mm
總重量約 2000kg

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